至 於ROM則是Read Only Memory的縮寫，也就是『唯讀記憶體』。ROM的特色在於資料一經寫入即無法修改，除非透過專屬的方式（如：EPROM以紫外線照射）才能達成，因此 適合存放重要且不能被刪除的資料，早期常出現在主機板/介面卡的BIOS上，現今應用已大幅縮減。
ROM (Read Only Memory)唯讀記憶體:關掉電源後，儲存在內的資料也不會流失ROM根據製造及寫入資料方法的不同可分為：Factory Mask ROM（光罩式唯讀記憶體）、PROM/OTP（Programmable ROM，可程式唯讀記憶體）、EPROM（Erasable PROM，可擦拭唯讀記憶體）、EEPROM（Electrical Erase PROM，電氣擦拭唯讀記憶體）、Flash Memory（快閃記憶體)。
快閃 記憶體（Flash Memory或Flash ROM:是目前最新的ROM形式記憶體之一，其內部材料已和最早的ROM有極大差異。相信大家還記得，所謂的ROM就是指唯讀記憶體，是只能讀取資料而不 能再進行寫入的記憶裝置，但Flash Memory和ROM不同的是它可以寫入，但又不會輕易地讓資料從記憶體中流失。
NAND型態快閃記憶體
NAND型態快閃記憶體（Flash Memory）是由東芝（Toshiba）所發展出來的快閃記憶體架構，讀寫速度較其他型態之快閃記憶體較慢，但它因具有較小記憶單元（Memory Cell）面積，所以在相同的記憶體密度下，成本會較NOR型態之快閃記憶體來得低，因此它也適用於更高容量的產品開發及大量儲存裝置上，可以用來取代磁碟機在可攜式產品上的地位，甚至作為消費性電子產品的資料儲存機制。
NAND 記憶體的基本組織可從「分頁(page)」這個最小的資料單元談起。一個分頁是可寫入的最小單元，可儲存512位元組或2K位元組的資料。第二大的單元為 「區塊(Block)」；一個區塊是NAND最小的刪除單元，含有32或64個分頁。更進一步的單元為「區域(Zone)」；區域是Smart Media規格所制定的邏輯結構，每個區域含有1024個區塊。因此，一個128M位元組的NAND包含：
8個區域 * 每個區域含有1024個區塊 * 每個區塊32個分頁 * 每個分頁512個位元組=128M位元
NAND快閃記憶體僅能在分頁下進行寫入動作，可是以區塊為單位作刪除作業，而這種限制對資料管理產生設計上的挑戰。
以下範例將介紹在讀寫過程中NAND快閃資料的管理。假設首次資料傳輸的寫入指令將512位元組的資料寫入區塊1中的LBA 0(邏輯區塊位址)，為完成這項步驟，快閃控制晶片必須先完全刪除記憶體區塊(16K位元組)，然後才能寫入512位元組。這個限制在寫入未使用的區塊時不會產生任何問題，但在寫入整個區塊時就會衍生出完全不同的問題。
例如，假設第二次寫入需要將一份512位元組資料寫至LBA 1，也就是位於區塊1旁的下一個LBA。由於整個區塊必須先刪除後才能寫入資料，因此之前寫入至LBA 0(在首次寫入過程)的資料必須在刪除前先儲存在某個位址。Smart Media針對這個問題提出的解決方案是在新資料傳來時，就立即搬移舊資料，流程如圖4所示。
控制晶片在寫入新資料時，會從舊區塊(在這個範例中就是區塊1)將資料複製至鄰近的區塊。當複製完成時，舊區塊就會被消除，並能儲存新資料。
下一個複雜流程就是追蹤所有資料的去向。由於控制晶片在複製時需從區塊0中LBA0移動資料，因此需以一個名為邏輯與實體對映表(logical to physical table)的表格追蹤實體快閃記憶體的位址以及相對應的LBA。當LBA項目被使用至少一次後，總是會被指定至快閃記憶體中的某處。當快閃記憶體被使用一段時間後，就沒有儲存單元會標示為「未指定」。
NOR型態的快閃記憶體
NOR型態的快閃記憶體（Flash Memory）是快閃記憶體家族的三大主流之一。NOR型態的Flash Memory是由英特爾（Intel）提倡的架構，讀取速度較快，而且可在單位區塊（Block）上進行指令程式的讀取與寫入，其特性為高電壓、長時間與大面積的消除動作。此類型的產品，大都應用在程式指令的儲存與讀取/寫入以及PC Card記憶卡。可執行
約在1998年左右，Intel又發表了多位準（Multi Level Cell）技術的Flash Memory，我們稱為StrataFlash，這類記憶容量大幅提昇，更可做資料儲存，擴大了NOR型態技術的市場價值及應用領域。
NOR的特點是芯片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。
EENOR型態快閃記憶體
EENOR型態的快閃記憶體（Flash Memory）乃針對NOR型態之快閃記憶體加以改良，使其在相同記憶單元（Memory Cell）面積下，能夠在更小的單位區塊上進行讀取/寫入的動作，不但可提昇整體系統的運作速度，更可以滿足低電壓、低功率的運作要求。可執行
RAM(隨機存取記憶體) | 可以存入/讀取資料的記憶體，存在RAM中的資料會因電源關閉而消失，有人將其稱之為揮發性記憶體，用來暫存執行中的程式及資料，當CPU要執行程式或資料時，必需先將其載入RAM中，才能執行處理。 | |
DRAM(動能記憶體) | 此類記憶體需要週期性(約2-4ms)充電(Refresh)，才能免於資料流失。由於必需反覆的充電因此存取速度較SRAM慢，價格較低，一般稱個人電腦的記憶體大小(如256MB)，指的就是DRAM的容量，DRAM依其製造技術細分為SDRAM、VCM SDRAM、DRDRAM、DDR SDRAM等四種，其中DDR SDRAM為目前DRAM的主流。 | |
SRAM(靜態記憶體) | 此類記憶體不需要週期性充電，存取速度較DRAM快，價格較高，通常應用於快取記憶體(Cache Memory)，如主機板上的快取記憶體(L2 Cache)即屬於SRAM。 | |
RAM的記憶體模組可分為下列三種 | ||
SIMM單面針腳記憶體模組 | 接腳數為72-pin，一次可傳輸的資料寛度為32bits | |
DIMM雙面針腳記憶體模組 | 接腳數為168-pin，一次可傳輸的資料寛度為64bits | |
RIMM記憶體匯流排針腳記憶體模組 | 接腳數為184-pin，一次可傳輸的資料寛度為16bits | |
ROM(唯讀記憶體) | 只能讀取而不能隨時寫入資料的記憶體，存在ROM中的資料不會因電源關閉而消失，有人將其稱之為非揮發性記憶體。 用來存放開機時必需使用的資料或程式，如開機時必需使用的啟動程式BIOS，資料或程式以燒錄的方式存放在ROM中，執行時無需另行載入，而可直接從ROM中取用。 | |
ROM的種類 | ||
Mask ROM | 資料在出廠時就已寫入，使用者無法寫入資料，只能讀取。 | |
PROM | 資料只能寫入一次，出廠時尚未寫入，所以使用者可自行燒錄一次。 | |
EPROM | 資料可重覆寫入及抹除(紫外線照射) | |
EEPROM | 資料可重覆寫入及抹除(電流訊號) | |
Flash ROM | 又稱Flash Memory(快閃記憶體)，具有ROM及RAM的優點，資料可重複讀寫，電源消失資料仍會留存。可應用在數位相機的記憶卡、隨身碟、主機的BIOS等。 | |
資料來源:
http://linday.blogspot.com/2007/03/blog-post.html
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